信越半導体株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第459位 73件
（
2019年：第396位 96件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第364位 72件
（2019年：第322位 84件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2020-102526 | ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置 | 2020年 7月 2日 | |
| 特開 2020-98104 | シリコン基板中の不純物濃度の測定方法 | 2020年 6月25日 | |
| 特開 2020-98839 | 窒化物半導体ウェーハの製造方法および窒化物半導体ウェーハ | 2020年 6月25日 | |
| 特開 2020-92169 | シリコン単結晶基板中の窒素濃度評価方法 | 2020年 6月11日 | |
| 特開 2020-85758 | 酸素濃度測定方法 | 2020年 6月 4日 | |
| 特開 2020-87991 | シリコンウェーハのエッチング方法、エッチング装置及び不純物分析方法 | 2020年 6月 4日 | |
| 特開 2020-88059 | ＳＯＩ基板の製造方法およびＳｉ薄膜の転写方法ならびにＳＩＭＯＸ基板 | 2020年 6月 4日 | |
| 特開 2020-88261 | 炭素濃度測定方法 | 2020年 6月 4日 | |
| 特開 2020-79181 | 単結晶の製造方法 | 2020年 5月28日 | |
| 特開 2020-80385 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2020年 5月28日 | |
| 特開 2020-77662 | パターンシフト測定方法 | 2020年 5月21日 | |
| 特開 2020-77710 | 発光素子用半導体基板の製造方法及び発光素子の製造方法 | 2020年 5月21日 | |
| 特開 2020-77711 | 半導体基板の評価方法 | 2020年 5月21日 | |
| 特開 2020-72215 | ウェーハ収納容器の洗浄方法およびその洗浄装置 | 2020年 5月 7日 | |
| 特開 2020-61483 | 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法 | 2020年 4月16日 |
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2020-102526 2020-98104 2020-98839 2020-92169 2020-85758 2020-87991 2020-88059 2020-88261 2020-79181 2020-80385 2020-77662 2020-77710 2020-77711 2020-72215 2020-61483
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