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信越半導体株式会社

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  2020年 出願公開件数ランキング    第459位 73件 下降2019年:第396位 96件)

  2020年 特許取得件数ランキング    第364位 72件 下降2019年:第322位 84件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2020-102526 ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置 2020年 7月 2日
特開 2020-98104 シリコン基板中の不純物濃度の測定方法 2020年 6月25日
特開 2020-98839 窒化物半導体ウェーハの製造方法および窒化物半導体ウェーハ 2020年 6月25日
特開 2020-92169 シリコン単結晶基板中の窒素濃度評価方法 2020年 6月11日
特開 2020-85758 酸素濃度測定方法 2020年 6月 4日
特開 2020-87991 シリコンウェーハのエッチング方法、エッチング装置及び不純物分析方法 2020年 6月 4日
特開 2020-88059 SOI基板の製造方法およびSi薄膜の転写方法ならびにSIMOX基板 2020年 6月 4日
特開 2020-88261 炭素濃度測定方法 2020年 6月 4日
特開 2020-79181 単結晶の製造方法 2020年 5月28日
特開 2020-80385 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 2020年 5月28日
特開 2020-77662 パターンシフト測定方法 2020年 5月21日
特開 2020-77710 発光素子用半導体基板の製造方法及び発光素子の製造方法 2020年 5月21日
特開 2020-77711 半導体基板の評価方法 2020年 5月21日
特開 2020-72215 ウェーハ収納容器の洗浄方法およびその洗浄装置 2020年 5月 7日
特開 2020-61483 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法 2020年 4月16日

73 件中 46-60 件を表示

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2020-102526 2020-98104 2020-98839 2020-92169 2020-85758 2020-87991 2020-88059 2020-88261 2020-79181 2020-80385 2020-77662 2020-77710 2020-77711 2020-72215 2020-61483

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