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信越半導体株式会社

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　■　2020年出願公開件数ランキング　　　第459位　73件（2019年：第396位　96件）

　■　2020年特許取得件数ランキング　　　第364位　72件（2019年：第322位　84件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2020-188130	被覆物の厚さ測定方法及び研削方法	2020年11月19日
特開 2020-183334	単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法	2020年11月12日
特開 2020-184584	エピタキシャルウェーハの評価方法	2020年11月12日
特開 2020-176847	ウェーハのフラットネス測定機の選定方法及び測定方法	2020年10月29日
特開 2020-177944	シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置	2020年10月29日
特開 2020-178018	シリコンウェーハのエッチング方法	2020年10月29日
特開 2020-171996	両面研磨方法	2020年10月22日
特開 2020-171997	両面研磨装置	2020年10月22日
特開 2020-174070	半導体基板の気相分解方法	2020年10月22日
特開 2020-174077	発光素子および発光素子の製造方法	2020年10月22日
特開 2020-174088	解析用データの生成方法及び半導体基板の判定方法	2020年10月22日
特開 2020-161555	シリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコンウェーハの製造工程管理方法	2020年10月 1日
特開 2020-152588	単結晶引上げ装置	2020年 9月24日
特開 2020-152612	単結晶製造装置	2020年 9月24日
特開 2020-155447	半導体デバイスの形成方法	2020年 9月24日

73 件中 16-30 件を表示

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2020-188130 2020-183334 2020-184584 2020-176847 2020-177944 2020-178018 2020-171996 2020-171997 2020-174070 2020-174077 2020-174088 2020-161555 2020-152588 2020-152612 2020-155447

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