信越半導体株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第459位 73件
（
2019年：第396位 96件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第364位 72件
（2019年：第322位 84件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2020-50535 | シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 4月 2日 | |
| 特開 2020-53513 | エピタキシャルウェーハの製造方法、エピタキシャル成長用シリコン系基板及びエピタキシャルウェーハ | 2020年 4月 2日 | |
| 特開 2020-53627 | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年 4月 2日 | |
| 特開 2020-47807 | 給排気制御装置、ウェーハ処理装置、ウェーハ処理方法、圧力制御装置、及び圧力制御方法 | 2020年 3月26日 | |
| 特開 2020-38920 | ウェーハ形状データ化方法 | 2020年 3月12日 | |
| 特開 2020-38937 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2020年 3月12日 | |
| 特開 2020-33217 | 単結晶育成方法 | 2020年 3月 5日 | |
| 特開 2020-33219 | 単結晶育成方法 | 2020年 3月 5日 | |
| 特開 2020-27920 | ウェーハの金属汚染の評価方法およびウェーハの製造工程の管理方法 | 2020年 2月20日 | |
| 再表 2018-203448 | ワークの切断方法及び接合部材 | 2020年 1月23日 | |
| 特開 2020-7163 | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びＦＺシリコン単結晶の製造方法 | 2020年 1月16日 | |
| 特開 2020-9793 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法 | 2020年 1月16日 | |
| 特開 2020-1977 | シリコン単結晶の酸素縞平坦化製造条件の決定方法、それを用いたシリコン単結晶の製造方法、及び、シリコン単結晶ウェーハ | 2020年 1月 9日 |
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2020-50535 2020-53513 2020-53627 2020-47807 2020-38920 2020-38937 2020-33217 2020-33219 2020-27920 2018-203448 2020-7163 2020-9793 2020-1977
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特許ランキング
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
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11月26日(火) - 東京 港区
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11月28日(木) - 京都 京都市
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11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
新製品開発の「タネ」がみつかる！株式会社リコーによるシーズ発表会 ～リコーの技術(シーズ)やアイデアを使って新製品をつくりませんか？～
12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
【特別講演】第8回 前コミュ 生成AIでビジネスチャンスをつかむ前に、生成AI導入に待ち構える法的ハードルを越える方法 ～ つながりを育む出会いの場（知財ネットワーク交流会）～
12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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