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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2021-172533	単結晶製造装置のリークチェック方法及び単結晶製造方法	2021年11月 1日
特開 2021-172549	単結晶引上げ装置及び半導体単結晶の製造方法	2021年11月 1日
特開 2021-172573	ウェーハの欠陥領域の判定方法	2021年11月 1日
特開 2021-172576	シリコン単結晶を製造する方法	2021年11月 1日
特開 2021-174783	シリコンウェーハの評価方法	2021年11月 1日
特開 2021-174912	半導体ウェーハの洗浄方法	2021年11月 1日
特開 2021-174927	貼り合わせＳＯＩウェーハのベースウェーハの抵抗率測定方法	2021年11月 1日
特開 2021-169397	気相成長用のシリコン単結晶基板、気相成長基板及びこれらの製造方法	2021年10月28日
特開 2021-168324	ウェーハの研磨方法及び研磨装置	2021年10月21日
特開 2021-166218	ロボットハンド	2021年10月14日
特開 2021-166265	シリコンウェーハのＤＩＣ欠陥の形状測定方法及び研磨方法	2021年10月14日
特開 2021-166267	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2021年10月14日
特開 2021-163779	ＳＯＩウェーハおよびその製造方法	2021年10月11日
特開 2021-163929	シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法	2021年10月11日
特開 2021-158159	接合ウェーハの製造方法及び接合ウェーハ	2021年10月 7日

80 件中 16-30 件を表示

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2021-172533 2021-172549 2021-172573 2021-172576 2021-174783 2021-174912 2021-174927 2021-169397 2021-168324 2021-166218 2021-166265 2021-166267 2021-163779 2021-163929 2021-158159

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