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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第437位 79件 (2020年:第459位 73件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件 (2020年:第364位 72件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2021-153119 | 配管接続方法及び半導体ウェーハ熱処理装置 | 2021年 9月30日 | |
特開 2021-137960 | 研磨装置および研磨方法 | 2021年 9月16日 | |
特開 2021-141104 | 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2021年 9月16日 | |
特開 2021-141271 | シリコンエピタキシャルウェーハ製造用サセプタの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 9月16日 | |
特開 2021-130568 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 9月 9日 | |
特開 2021-130574 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 9月 9日 | |
特開 2021-132102 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 9月 9日 | |
特開 2021-124430 | 半導体基板表面に付着した有機物の評価方法 | 2021年 8月30日 | |
特開 2021-118283 | シリコン試料の酸素濃度評価方法 | 2021年 8月10日 | |
特開 2021-109271 | ラッピング装置の洗浄装置 | 2021年 8月 2日 | |
特開 2021-109804 | 単結晶製造装置 | 2021年 8月 2日 | |
特開 2021-111696 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | 2021年 8月 2日 | |
特開 2021-111724 | 化学処理液の評価方法 | 2021年 8月 2日 | |
特開 2021-99273 | 標準サンプルおよびその作製方法、ならびにEBSD測定装置の管理方法 | 2021年 7月 1日 | |
特開 2021-100073 | 研磨パッドと該研磨パッドを用いた半導体ウェーハの加工方法 | 2021年 7月 1日 |
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2021-153119 2021-137960 2021-141104 2021-141271 2021-130568 2021-130574 2021-132102 2021-124430 2021-118283 2021-109271 2021-109804 2021-111696 2021-111724 2021-99273 2021-100073
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 東京 千代田区
11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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