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信越半導体株式会社

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  2021年 出願公開件数ランキング    第437位 79件 上昇2020年:第459位 73件)

  2021年 特許取得件数ランキング    第359位 73件 上昇2020年:第364位 72件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2021-153119 配管接続方法及び半導体ウェーハ熱処理装置 2021年 9月30日
特開 2021-137960 研磨装置および研磨方法 2021年 9月16日
特開 2021-141104 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 2021年 9月16日
特開 2021-141271 シリコンエピタキシャルウェーハ製造用サセプタの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2021年 9月16日
特開 2021-130568 シリコン単結晶の製造方法 2021年 9月 9日
特開 2021-130574 シリコン単結晶の製造方法 2021年 9月 9日
特開 2021-132102 半導体ウェーハの製造方法 2021年 9月 9日
特開 2021-124430 半導体基板表面に付着した有機物の評価方法 2021年 8月30日
特開 2021-118283 シリコン試料の酸素濃度評価方法 2021年 8月10日
特開 2021-109271 ラッピング装置の洗浄装置 2021年 8月 2日
特開 2021-109804 単結晶製造装置 2021年 8月 2日
特開 2021-111696 エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ 2021年 8月 2日
特開 2021-111724 化学処理液の評価方法 2021年 8月 2日
特開 2021-99273 標準サンプルおよびその作製方法、ならびにEBSD測定装置の管理方法 2021年 7月 1日
特開 2021-100073 研磨パッドと該研磨パッドを用いた半導体ウェーハの加工方法 2021年 7月 1日

80 件中 31-45 件を表示

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2021-153119 2021-137960 2021-141104 2021-141271 2021-130568 2021-130574 2021-132102 2021-124430 2021-118283 2021-109271 2021-109804 2021-111696 2021-111724 2021-99273 2021-100073

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