信越半導体株式会社
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第553位 43件
（
2025年：第539位 52件）
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第452位 46件
（2025年：第404位 65件）
（ランキング更新日：2026年10月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7852555 | ノッチのベベル部の表面粗さの測定方法 | 2026年 4月28日 | |
| 特許 7848624 | 高周波用ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2026年 4月21日 | |
| 特許 7845282 | 円筒研削機および円筒研削方法 | 2026年 4月14日 | |
| 特許 7845245 | エピタキシャルウェーハ及びＳＯＩウェーハ並びにそれらの製造方法 | 2026年 4月14日 | |
| 特許 7845438 | シリコン（１１０）基板及びシリコン（１１０）基板の処理方法 | 2026年 4月14日 | |
| 特許 7846082 | エピタキシャル成長用種基板およびその製造方法、ならびに半導体基板およびその製造方法 | 2026年 4月14日 | |
| 特許 7841619 | ウェーハの深さ方向の欠陥位置の評価方法 | 2026年 4月 7日 | |
| 特許 7838501 | 両面研磨方法 | 2026年 4月 1日 | |
| 特許 7835188 | 半導体基板の製造方法 | 2026年 3月25日 | |
| 特許 7831490 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2026年 3月17日 | |
| 特許 7831234 | 半導体エピタキシャル基板の製造方法、半導体エピタキシャル基板、及び半導体装置 | 2026年 3月17日 | |
| 特許 7826623 | クリーンルーム | 2026年 3月10日 | |
| 特許 7819778 | デブリ判定方法 | 2026年 2月25日 | |
| 特許 7810099 | ヘテロエピタキシャル基板の製造方法 | 2026年 2月 3日 | |
| 特許 7800574 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2026年 1月16日 |
47 件中 31-45 件を表示
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7852555 7848624 7845282 7845245 7845438 7846082 7841619 7838501 7835188 7831490 7831234 7826623 7819778 7810099 7800574
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