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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7629590	遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、及びシリコン単結晶の製造方法	2025年 2月14日
特許 7629154	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2025年 2月13日
特許 7622663	膜厚測定装置用の標準サンプル群、その製造方法及び標準サンプル群を用いた膜厚測定装置の管理方法	2025年 1月28日
特許 7619321	表面金属汚染評価用標準試料の作製方法	2025年 1月22日
特許 7619349	窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板及び窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板の製造方法	2025年 1月22日
特許 7619464	接合型ウェーハの製造方法	2025年 1月22日
特許 7618401	大口径ＩＩＩ族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法	2025年 1月21日
特許 7615874	ウェーハの製造方法	2025年 1月17日
特許 7615947	半導体デバイス用基板及びその製造方法	2025年 1月17日
特許 7616022	酸化膜の膜厚評価方法及び酸化膜付きシリコン基板の製造方法	2025年 1月17日
特許 7616035	単結晶引き上げ装置	2025年 1月17日
特許 7616088	窒化物半導体基板及びその製造方法	2025年 1月17日
特許 7616103	半導体基板の評価方法	2025年 1月17日
特許 7611125	非接触Ｃ－Ｖ測定方法	2025年 1月 9日
特許 7609011	軌道清掃装置	2025年 1月 7日

61 件中 46-60 件を表示

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7629590 7629154 7622663 7619321 7619349 7619464 7618401 7615874 7615947 7616022 7616035 7616088 7616103 7611125 7609011

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