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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第318位 109件
(2022年:第291位 121件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第281位 118件
(2022年:第243位 132件)
(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-135555 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び、酸発生剤 | 2023年 9月28日 | |
特開 2023-131576 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び高分子化合物 | 2023年 9月22日 | |
特開 2023-131586 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物 | 2023年 9月22日 | |
特開 2023-131588 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物 | 2023年 9月22日 | |
特開 2023-131926 | レジスト組成物、及び、レジストパターン形成方法 | 2023年 9月22日 | |
特開 2023-133137 | 輻射シート、放熱板、放熱装置、及び硬化性ペースト | 2023年 9月22日 | |
特開 2023-130929 | 指紋認証用光学素子 | 2023年 9月21日 | |
特開 2023-125704 | 光学素子の製造方法、光学素子及び感光性組成物 | 2023年 9月 7日 | |
特開 2023-126278 | ハードマスク形成用組成物及び電子部品の製造方法及び樹脂 | 2023年 9月 7日 | |
特開 2023-123183 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び、酸発生剤 | 2023年 9月 5日 | |
特開 2023-123222 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び高分子化合物 | 2023年 9月 5日 | |
特開 2023-121003 | リンス液、基板の処理方法、及び半導体素子の製造方法 | 2023年 8月30日 | |
特開 2023-118736 | 除去液、及びSn含有金属レジストを備えた支持体の洗浄方法 | 2023年 8月25日 | |
特開 2023-117970 | 接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び電子部品の製造方法 | 2023年 8月24日 | |
特開 2023-117971 | 接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び電子部品の製造方法 | 2023年 8月24日 |
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2023-135555 2023-131576 2023-131586 2023-131588 2023-131926 2023-133137 2023-130929 2023-125704 2023-126278 2023-123183 2023-123222 2023-121003 2023-118736 2023-117970 2023-117971
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