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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第253位 138件 (2023年:第318位 109件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第258位 123件 (2023年:第281位 118件)
(ランキング更新日:2025年1月8日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-179206 | ネガ型感光性樹脂組成物、感光性レジストフィルム及び中空構造体の製造方法 | 2024年12月26日 | |
特開 2024-179575 | 半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法 | 2024年12月26日 | |
特開 2024-178693 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び共重合体 | 2024年12月25日 | |
特開 2024-176439 | 感光性組成物、樹脂膜の形成方法、基板の製造方法、及び樹脂 | 2024年12月19日 | |
特開 2024-175511 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物 | 2024年12月18日 | |
特開 2024-168058 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び酸拡散制御剤 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-168314 | 感光性樹脂組成物 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-169053 | レジスト組成物及びパターン形成方法 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-169104 | 洗浄液、並びに、基板の洗浄方法及び半導体素子の製造方法 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-169105 | 洗浄液、並びに、基板の洗浄方法及び半導体素子の製造方法 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-169278 | レジスト材料、パターン形成方法、及び、パターン化構造体 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-165284 | 表面処理膜の形成方法 | 2024年11月28日 | |
特開 2024-164666 | エッチング液、エッチング方法及び半導体素子の製造方法 | 2024年11月27日 | |
特開 2024-164667 | エッチング液、エッチング方法及び半導体素子の製造方法 | 2024年11月27日 | |
特開 2024-162396 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物 | 2024年11月21日 |
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2024-179206 2024-179575 2024-178693 2024-176439 2024-175511 2024-168058 2024-168314 2024-169053 2024-169104 2024-169105 2024-169278 2024-165284 2024-164666 2024-164667 2024-162396
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1月8日(水) -
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1月9日(木) -
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1月11日(土) -
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1月8日(水) -
1月14日(火) - 東京 港区
1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
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1月14日(火) - 東京 港区
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