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■ 2023年 特許取得件数ランキング 第53位 556件 (2022年:第81位 379件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-177969 | SiC単結晶基板 | 2023年12月14日 | |
特開 2023-177988 | 半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法 | 2023年12月14日 | |
特開 2023-178199 | n型SiC単結晶基板 | 2023年12月14日 | |
特開 2023-178210 | SiC単結晶基板 | 2023年12月14日 | |
特開 2023-178236 | n型SiC単結晶基板及びSiCエピタキシャルウェハ | 2023年12月14日 | |
特開 2023-178265 | SiC単結晶基板及びSiCエピタキシャルウェハ | 2023年12月14日 | |
特開 2023-176321 | 非水系二次電池用電極スラリーの製造方法、及び非水系二次電池電極の製造方法 | 2023年12月13日 | |
特開 2023-176346 | 回路接続構造体の製造方法及び回路接続装置 | 2023年12月13日 | |
特開 2023-176508 | 半導体装置の製造方法 | 2023年12月13日 | |
特開 2023-176670 | SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ | 2023年12月13日 | |
特開 2023-176672 | SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ | 2023年12月13日 | |
特開 2023-177095 | 仮固定用積層体、仮固定用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法 | 2023年12月13日 | |
特開 2023-177239 | SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ | 2023年12月13日 | |
特開 2023-177253 | SiCエピタキシャルウェハ | 2023年12月13日 | |
特開 2023-175418 | 摩擦材形成用組成物、摩擦材、摩擦部材及び自動車用ディスクブレーキパッド | 2023年12月12日 |
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2023-177969 2023-177988 2023-178199 2023-178210 2023-178236 2023-178265 2023-176321 2023-176346 2023-176508 2023-176670 2023-176672 2023-177095 2023-177239 2023-177253 2023-175418
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最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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