株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
（
2010年：第150位 334件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
（
2010年：第455位 62件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4797514 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年10月19日 | |
| 特許 4798163 | エピタキシャル成長用サセプタ | 2011年10月19日 | |
| 特許 4797477 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年10月19日 | |
| 特許 4793680 | 半導体ウェーハの研磨方法 | 2011年10月12日 | |
| 特許 4784253 | ウェーハ検査方法及びその装置 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784391 | ウェーハの欠陥検出方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784401 | シリコン単結晶の育成プロセスにおける融液の液面位置監視装置 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4788444 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4788445 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784420 | 半導体基板の品質評価方法、半導体基板の製造方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4779519 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 9月28日 | |
| 特許 4779644 | エピタキシャル装置 | 2011年 9月28日 | |
| 特許 4776745 | 結晶生産方法 | 2011年 9月21日 | |
| 特許 4770578 | 評価用試料およびその製造方法、ならびに評価方法 | 2011年 9月14日 | |
| 特許 4760729 | ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2011年 8月31日 |
79 件中 16-30 件を表示
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4797514 4798163 4797477 4793680 4784253 4784391 4784401 4788444 4788445 4784420 4779519 4779644 4776745 4770578 4760729
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