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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件 (2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件 (2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4715782 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ | 2011年 7月 6日 | |
特許 4715402 | 単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコンウェーハ及びウェーハ検査方法 | 2011年 7月 6日 | |
特許 4715470 | 剥離ウェーハの再生加工方法及びこの方法により再生加工された剥離ウェーハ | 2011年 7月 6日 | |
特許 4711484 | 電子デバイスの製造方法 | 2011年 6月29日 | |
特許 4710247 | 単結晶製造装置及び方法 | 2011年 6月29日 | |
特許 4710429 | 半導体単結晶製造装置 | 2011年 6月29日 | |
特許 4706199 | SIMOX基板の製造方法 | 2011年 6月22日 | |
特許 4708697 | エピタキシャルシリコンウェーハ | 2011年 6月22日 | |
特許 4706264 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2011年 6月22日 | |
特許 4701738 | 単結晶の引上げ方法 | 2011年 6月15日 | |
特許 4698892 | CZ原料供給方法及び供給用治具 | 2011年 6月 8日 | |
特許 4688984 | シリコンウエーハ及び結晶育成方法 | 2011年 5月25日 | |
特許 4689027 | 半導体単結晶引上装置 | 2011年 5月25日 | 共同出願 |
特許 4677717 | SOIウェーハの製造方法およびその装置 | 2011年 4月27日 | |
特許 4670224 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 4月13日 |
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4715782 4715402 4715470 4711484 4710247 4710429 4706199 4708697 4706264 4701738 4698892 4688984 4689027 4677717 4670224
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