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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件
(2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件
(2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2025年2月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5471070 | 単結晶インゴットの円筒研削方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5473878 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5472308 | エピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 | 2014年 4月16日 | |
特許 5470769 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5471780 | ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度測定方法およびボロンドープp型シリコンウェーハの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5470839 | 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5470766 | 半導体デバイスの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5467418 | 造粒シリカ粉の製造方法、シリカガラスルツボの製造方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5464068 | エピタキシャル成長装置における内部部材の位置調整方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5463943 | 画像データ処理方法および画像作成方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5459804 | シリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボの製造方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458857 | 洗浄方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458683 | レーザー散乱法を用いた半導体ウェーハの良品判定方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458599 | エピタキシャルシリコンウェーハ、およびその製造方法 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5458525 | SOIウェーハの製造方法 | 2014年 4月 2日 |
189 件中 106-120 件を表示
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5471070 5473878 5472308 5470769 5471780 5470839 5470766 5467418 5464068 5463943 5459804 5458857 5458683 5458599 5458525
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2月17日(月) - 大阪 大阪市
(オンライン参加可)体験談から学ぶ知的財産権 その時どうする?~海外で商標権がバッティング?オープンファクトリーの知財リスク?~
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2月20日(木) -
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パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月21日(金) -
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2月25日(火) -
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