特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2013年出願公開件数ランキング　　　第330位　130件（2012年：第404位　100件）

　■　2013年特許取得件数ランキング　　　第255位　154件（2012年：第234位　161件）

（ランキング更新日：2025年2月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2013-256406	原料充填方法及び単結晶の製造方法	2013年12月26日
特開 2013-256417	単結晶育成装置	2013年12月26日
特開 2013-249240	単結晶製造装置	2013年12月12日
特開 2013-249220	半導体単結晶棒の製造方法	2013年12月12日
特開 2013-251461	半導体ウェーハの洗浄方法	2013年12月12日
特開 2013-247204	ＳＯＩウェーハの製造方法	2013年12月 9日
特開 2013-247348	シリコンウェーハの乾燥方法	2013年12月 9日	共同出願
特開 2013-243219	半導体ウェーハの洗浄方法	2013年12月 5日
特開 2013-239661	アルカリエッチング液及びこれを用いたアルカリエッチング方法	2013年11月28日
特開 2013-237586	シリコン原料の溶融方法	2013年11月28日
特開 2013-238534	ウエーハ表面の評価方法	2013年11月28日
特開 2013-235888	半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置	2013年11月21日
特開 2013-229516	貼り合わせウェーハの製造方法	2013年11月 7日
特開 2013-229367	エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法	2013年11月 7日
特開 2013-227178	ＧａＮ自立基板の製造方法	2013年11月 7日

130 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2013-256406 2013-256417 2013-249240 2013-249220 2013-251461 2013-247204 2013-247348 2013-243219 2013-239661 2013-237586 2013-238534 2013-235888 2013-229516 2013-229367 2013-227178

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数