特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2013年出願公開件数ランキング　　　第330位　130件（2012年：第404位　100件）

　■　2013年特許取得件数ランキング　　　第255位　154件（2012年：第234位　161件）

（ランキング更新日：2025年2月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2013-124192	単結晶引上げ装置	2013年 6月24日
特開 2013-125885	半導体基板の評価方法および半導体基板の製造方法	2013年 6月24日
特開 2013-125904	埋め込み領域付エピタキシャルウエーハの製造方法	2013年 6月24日
特開 2013-121891	単結晶の製造方法	2013年 6月20日
特開 2013-119486	シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法	2013年 6月17日
特開 2013-120900	イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法	2013年 6月17日	共同出願
特開 2013-118333	エピタキシャルウエーハの欠陥評価方法	2013年 6月13日
特開 2013-116508	両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法	2013年 6月13日
特開 2013-118268	半導体結晶膜の気相成長装置	2013年 6月13日
特開 2013-116828	単結晶の製造方法	2013年 6月13日
特開 2013-115342	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2013年 6月10日
特開 2013-110276	半導体基板の評価方法および評価用半導体基板	2013年 6月 6日
特開 2013-110364	半導体ウェーハの熱処理方法	2013年 6月 6日
特開 2013-110145	エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法	2013年 6月 6日
特開 2013-110359	気相成長装置の清浄度評価方法	2013年 6月 6日

130 件中 61-75 件を表示

... 5

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2013-124192 2013-125885 2013-125904 2013-121891 2013-119486 2013-120900 2013-118333 2013-116508 2013-118268 2013-116828 2013-115342 2013-110276 2013-110364 2013-110145 2013-110359

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数