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(2020年:第499位 66件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6859426 | エッジリングの位置決めおよびセンタリング機構を組み込んだプラズマシース調整のための交換可能および/または折りたたみ式エッジリングアセンブリ | 2021年 4月14日 | |
特許 6851731 | プラズマエッチング耐性コーティングを備えたプラズマエッチング装置 | 2021年 3月31日 | |
特許 6852974 | エッジに限局されたイオン軌道制御及びプラズマ動作を通じた、最端エッジにおけるシース及びウエハのプロフィール調整 | 2021年 3月31日 | |
特許 6853065 | プラズマおよび蒸気処理の組み合わせを用いたAL2O3の原子層エッチング | 2021年 3月31日 | |
特許 6849339 | プラズマ電力レベルに応じて二様態プロセスガス組成を使用するプラズマエッチングのための方法 | 2021年 3月24日 | |
特許 6837733 | ウエハ均一性を改善するための装置および方法 | 2021年 3月 3日 | |
特許 6832057 | 垂直NANDホールエッチングのためのめっき金属ハードマスク | 2021年 2月24日 | |
特許 6832067 | シリコン貫通ビア内への銅の電着のための、ニッケルライナおよびコバルトライナの前処理 | 2021年 2月24日 | |
特許 6832088 | 感受性材料上にハロゲン化物含有ALD膜を統合する方法 | 2021年 2月24日 | |
特許 6832633 | 基板処理のための分光反射率計付き装置 | 2021年 2月24日 | |
特許 6821292 | タングステン含有層をエッチングする方法 | 2021年 1月27日 | |
特許 6821327 | オンデマンド充填アンプルの補充 | 2021年 1月27日 | |
特許 6822767 | 半導体製造チャンバ内の消耗部品の余寿命の推定 | 2021年 1月27日 | |
特許 6814614 | システムメンテナンス中に最小接触面積フィーチャおよびウエハ移動ピンを保管して整理するための設計 | 2021年 1月20日 | |
特許 6815745 | 背面ガス供給管を備えた基板ペデスタルモジュールおよびその製造方法 | 2021年 1月20日 |
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6859426 6851731 6852974 6853065 6849339 6837733 6832057 6832067 6832088 6832633 6821292 6821327 6822767 6814614 6815745
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