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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第303位 145件
(2016年:第455位 76件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第394位 68件
(2016年:第525位 51件)
(ランキング更新日:2025年5月8日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2017-175143 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2017年 9月28日 | |
特開 2017-175144 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2017年 9月28日 | |
特開 2017-175145 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2017年 9月28日 | |
特開 2017-165593 | シリコン単結晶の製造方法 | 2017年 9月21日 | |
特開 2017-168765 | 基板収納容器 | 2017年 9月21日 | |
特開 2017-168801 | pn接合シリコンウェーハの製造方法 | 2017年 9月21日 | |
特開 2017-160123 | シリコン単結晶の製造方法 | 2017年 9月14日 | |
特開 2017-161437 | 表面付着物の検査装置及び検査方法 | 2017年 9月14日 | |
再表 2016-174860 | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ | 2017年 9月 7日 | |
特開 2017-154901 | 単結晶の製造方法および製造装置 | 2017年 9月 7日 | |
特開 2017-154971 | シリコン単結晶の製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
特開 2017-157613 | 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法ならびに固体撮像素子の製造方法 | 2017年 9月 7日 | |
特開 2017-157796 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | 2017年 9月 7日 | |
特開 2017-148904 | ウェーハの製造方法 | 2017年 8月31日 | |
特開 2017-152436 | スリップ転位の発生予測方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法、シリコンウェーハの熱処理方法およびシリコンウェーハ | 2017年 8月31日 |
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2017-175143 2017-175144 2017-175145 2017-165593 2017-168765 2017-168801 2017-160123 2017-161437 2016-174860 2017-154901 2017-154971 2017-157613 2017-157796 2017-148904 2017-152436
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