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株式会社ＳＵＭＣＯ

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　■　2017年出願公開件数ランキング　　　第303位　145件（2016年：第455位　76件）

　■　2017年特許取得件数ランキング　　　第394位　68件（2016年：第525位　51件）

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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2017-200878	シリコンウェーハの製造方法	2017年11月 9日
特開 2017-193032	研磨ヘッド、研磨装置およびウェーハの研磨方法	2017年10月26日
特開 2017-193461	単結晶の製造方法および装置	2017年10月26日
特開 2017-193484	シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造に好適なシリカ粉の評価方法	2017年10月26日
特開 2017-194471	シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造に好適なシリカ粉の評価方法	2017年10月26日
特開 2017-195301	エピタキシャル成長装置	2017年10月26日
再表 2016-125605	単結晶引き上げ装置のクリーニング方法及びこれに用いるクリーニング用具並びに単結晶の製造方法	2017年10月19日
特開 2017-189838	工作機械のレベリングマウント調整方法およびそれを用いたワークの研削加工方法	2017年10月19日
特開 2017-189851	ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法	2017年10月19日
特開 2017-190261	単結晶の製造方法および装置	2017年10月19日
特開 2017-191800	シリコン試料の炭素濃度測定方法、シリコン単結晶インゴットの製造方法、シリコン単結晶インゴットおよびシリコンウェーハ	2017年10月19日
特開 2017-191886	ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法	2017年10月19日
特開 2017-181092	清浄度評価方法、洗浄条件決定方法、およびシリコンウェーハの製造方法	2017年10月 5日
特開 2017-183736	半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法	2017年10月 5日
特開 2017-174963	ＳＯＩ基板の製造方法	2017年 9月28日

146 件中 16-30 件を表示

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2017-200878 2017-193032 2017-193461 2017-193484 2017-194471 2017-195301 2016-125605 2017-189838 2017-189851 2017-190261 2017-191800 2017-191886 2017-181092 2017-183736 2017-174963

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