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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第360位 101件 (2020年:第356位 104件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第298位 93件 (2020年:第290位 95件)
(ランキング更新日:2024年11月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2021-82675 | 検査方法、シリコンウェーハの製造方法および検査装置 | 2021年 5月27日 | |
特開 2021-82696 | ウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ | 2021年 5月27日 | |
再表 2019-221191 | 石英ルツボの透過率測定方法及び装置 | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-75418 | 単結晶の製造方法 | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-75421 | 炭素製ルツボ | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-77704 | エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-77705 | エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-77732 | レーザー表面検査装置の座標位置特定精度校正方法および半導体ウェーハの評価方法 | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-77793 | 半導体インゴットのスライシング加工条件決定方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 5月20日 | |
再表 2019-198458 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 5月13日 | |
特開 2021-70593 | 点欠陥シミュレーター、点欠陥シミュレーションプログラム、点欠陥シミュレーション方法、シリコン単結晶の製造方法および単結晶引き上げ装置 | 2021年 5月 6日 | |
特開 2021-68871 | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 4月30日 | |
特開 2021-53726 | ワークの両面研磨方法 | 2021年 4月 8日 | |
特開 2021-50139 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 4月 1日 | |
特開 2021-46344 | 半導体結晶製造装置 | 2021年 3月25日 |
101 件中 61-75 件を表示
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2021-82675 2021-82696 2019-221191 2021-75418 2021-75421 2021-77704 2021-77705 2021-77732 2021-77793 2019-198458 2021-70593 2021-68871 2021-53726 2021-50139 2021-46344
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11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月28日(木) - 東京 港区
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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