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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第360位 101件 (2020年:第356位 104件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第298位 93件 (2020年:第290位 95件)
(ランキング更新日:2024年11月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2021-42086 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 | 2021年 3月18日 | |
特開 2021-42095 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 3月18日 | |
特開 2021-42103 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法 | 2021年 3月18日 | |
特開 2021-44327 | 半導体デバイス | 2021年 3月18日 | |
再表 2020-174598 | シリコン融液の対流パターン制御方法、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 3月11日 | |
特開 2021-39221 | 光モジュール及びその製造方法 | 2021年 3月11日 | |
特開 2021-40006 | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 | 2021年 3月11日 | |
特開 2021-40082 | シリコン試料の前処理方法、シリコン試料の金属汚染評価方法、単結晶シリコンインゴット育成工程の評価方法、単結晶シリコンインゴットの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2021年 3月11日 | |
特開 2021-35899 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 | 2021年 3月 4日 | |
特開 2021-35907 | n型シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 3月 4日 | |
特開 2021-36558 | 半導体試料の評価方法 | 2021年 3月 4日 | |
特開 2021-28983 | エピタキシャルシリコンウェーハ | 2021年 2月25日 | |
特開 2021-27243 | レーザマークの印字方法およびレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 | 2021年 2月22日 | |
再表 2020-54811 | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ | 2021年 2月18日 | |
特開 2021-20819 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法及びヘテロエピタキシャルウェーハ | 2021年 2月18日 |
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2021-42086 2021-42095 2021-42103 2021-44327 2020-174598 2021-39221 2021-40006 2021-40082 2021-35899 2021-35907 2021-36558 2021-28983 2021-27243 2020-54811 2021-20819
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11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月28日(木) - 東京 港区
12月2日(月) - 滋賀 草津市
新製品開発の「タネ」がみつかる!株式会社リコーによるシーズ発表会 ~リコーの技術(シーズ)やアイデアを使って新製品をつくりませんか?~
12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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