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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第539位 58件
(2021年:第360位 101件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第278位 113件
(2021年:第298位 93件)
(ランキング更新日:2025年6月10日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2022-63602 | キャリア測定装置、キャリア測定方法、及びキャリア管理方法 | 2022年 4月22日 | |
特開 2022-62819 | シリコン単結晶の育成方法 | 2022年 4月21日 | |
特開 2022-61883 | 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 | 2022年 4月19日 | |
特開 2022-58333 | 無欠陥単結晶シリコンの製造方法及び装置 | 2022年 4月12日 | |
特開 2022-57967 | 単結晶シリコンブロックの結晶欠陥に関する品質評価方法、単結晶シリコンブロックの品質評価プログラム、単結晶シリコンブロックの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 4月11日 | |
特開 2022-45720 | ウェーハ研磨方法およびウェーハ研磨装置 | 2022年 3月22日 | |
特開 2022-42592 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2022年 3月15日 | |
特開 2022-41170 | シリコンウェーハの検査方法、シリコンウェーハの製造方法 | 2022年 3月11日 | |
特開 2022-37770 | 半導体ウェーハの割れの発生率低減方法 | 2022年 3月 9日 | |
特開 2022-26224 | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム | 2022年 2月10日 | |
特開 2022-26286 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 2月10日 | |
特開 2022-13824 | 低抵抗率ウェーハ及びその製造方法 | 2022年 1月18日 | |
特開 2022-12543 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法 | 2022年 1月17日 |
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2022-63602 2022-62819 2022-61883 2022-58333 2022-57967 2022-45720 2022-42592 2022-41170 2022-37770 2022-26224 2022-26286 2022-13824 2022-12543
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6月19日(木) -
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) -
6月20日(金) - 愛知 名古屋市
6月16日(月) - 東京 大田
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