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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第608位 43件
(
2024年:第435位 71件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第355位 75件
(
2024年:第402位 73件)
(ランキング更新日:2026年5月1日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7726297 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 | 2025年 8月20日 | |
| 特許 7722350 | モニターウェーハの製造方法、および、モニターウェーハを用いる気相成長装置の異常判定方法 | 2025年 8月13日 | |
| 特許 7715094 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2025年 7月30日 | |
| 特許 7713198 | 半導体試料の評価方法 | 2025年 7月25日 | |
| 特許 7711628 | シリコン単結晶の育成方法、シリコンウェーハの製造方法、および単結晶引き上げ装置 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711637 | ウェーハの判定方法、判定プログラム、判定装置、ウェーハの製造方法及びウェーハ | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711657 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7700724 | 梱包ユニットおよび輸送コンテナ | 2025年 7月 1日 | |
| 特許 7700751 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2025年 7月 1日 | |
| 特許 7694145 | シリコン単結晶インゴットの評価方法、シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコン鏡面ウェーハの評価方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7694149 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7694371 | コイル、単結晶の製造装置用磁石、単結晶の製造装置および単結晶の製造方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7694487 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7694506 | シリコン単結晶の製造方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7687246 | 単結晶シリコンインゴットの製造設備及び単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2025年 6月 3日 |
77 件中 31-45 件を表示
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7726297 7722350 7715094 7713198 7711628 7711637 7711657 7700724 7700751 7694145 7694149 7694371 7694487 7694506 7687246
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