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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第138位 311件
(2019年:第141位 330件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第136位 210件
(2019年:第156位 176件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6760930 | 研磨用物品、及び、化学機械研磨用物品を製造するための統合型のシステムと方法 | 2020年 9月23日 | |
特許 6754765 | プラズマ生成物を供給するための装置および方法 | 2020年 9月16日 | |
特許 6754887 | デジタルリソグラフィのための焦点センタリング方法 | 2020年 9月16日 | |
特許 6756853 | チャンバ内部の流れを拡散させることによる低い粒子数及びより良好なウエハ品質のための効果的で新しい設計 | 2020年 9月16日 | |
特許 6752205 | トロイダルプラズマ源を有するプラズマ処理システムおよびプラズマ処理の方法 | 2020年 9月 9日 | |
特許 6752797 | 基板裏側の変色制御のための支持組立体 | 2020年 9月 9日 | |
特許 6753866 | ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法 | 2020年 9月 9日 | |
特許 6753953 | 改良された半導体エッチングおよび部品保護のためのシステムおよび方法 | 2020年 9月 9日 | |
特許 6753954 | 改良された半導体エッチングおよび部品保護のためのシステムおよび方法 | 2020年 9月 9日 | |
特許 6749238 | プラズマ火炎熱処理を用いたプラズマ溶射コーティングの強化 | 2020年 9月 2日 | |
特許 6749295 | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | 2020年 9月 2日 | |
特許 6749516 | 酸化ケイ素薄膜の選択的横成長 | 2020年 9月 2日 | |
特許 6749834 | 基板上の三次元構造の層のNH3含有プラズマ窒化 | 2020年 9月 2日 | |
特許 6750122 | フォトレジスト層におけるフィールド誘導型酸プロファイル制御のための装置 | 2020年 9月 2日 | |
特許 6751107 | 表面ブロッキング化学作用を用いた薄膜誘電体の選択的堆積 | 2020年 9月 2日 |
211 件中 46-60 件を表示
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6760930 6754765 6754887 6756853 6752205 6752797 6753866 6753953 6753954 6749238 6749295 6749516 6749834 6750122 6751107
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