信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2016-13957 | 点欠陥濃度計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥面内分布計算方法及びこれらを用いたシリコン単結晶製造方法 | 2016年 1月28日 | |
| 特開 2016-15353 | 半導体製造装置、半導体装置、および、半導体装置の製造方法 | 2016年 1月28日 | |
| 特開 2016-15426 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 | 2016年 1月28日 | |
| 特開 2016-9772 | 半導体基板の欠陥領域の評価方法 | 2016年 1月18日 | |
| 特開 2016-2612 | 自動ハンドリング装置 | 2016年 1月12日 | |
| 特開 2016-4890 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2016年 1月12日 | |
| 再表 2013-168444 | 円板形ワーク用外周研磨装置 | 2016年 1月 7日 | |
| 特開 2016-444 | 研磨パッドの洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | 2016年 1月 7日 | |
| 特開 2016-1705 | ウェーハの研磨方法 | 2016年 1月 7日 |
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2016-13957 2016-15353 2016-15426 2016-9772 2016-2612 2016-4890 2013-168444 2016-444 2016-1705
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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