信越半導体株式会社
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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第437位 79件
（
2020年：第459位 73件）
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件
（2020年：第364位 72件）
（ランキング更新日：2025年9月1日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6939456 | シリコン単結晶育成装置及びシリコン単結晶製造方法 | 2021年 9月22日 | |
| 特許 6933187 | 半導体シリコンウェーハの金属不純物除去方法 | 2021年 9月 8日 | |
| 特許 6933201 | 炭素濃度測定方法 | 2021年 9月 8日 | |
| 特許 6924593 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 8月25日 | |
| 特許 6924710 | 研磨装置および研磨方法 | 2021年 8月25日 | |
| 特許 6927141 | シリコンウエハの評価方法及びそのエッチング液 | 2021年 8月25日 | |
| 特許 6927143 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2021年 8月25日 | |
| 特許 6927150 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 8月25日 | |
| 特許 6919625 | 不純物濃度の測定方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6919629 | シリコン単結晶の酸素縞平坦化製造条件の決定方法、及び、それを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6919633 | 単結晶育成方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922688 | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922826 | シリコン単結晶基板の選別方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922851 | ゲッタリング層の形成方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6915526 | 炭化珪素単結晶の製造方法 | 2021年 8月 4日 |
73 件中 16-30 件を表示
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6939456 6933187 6933201 6924593 6924710 6927141 6927143 6927150 6919625 6919629 6919633 6922688 6922826 6922851 6915526
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