信越半導体株式会社
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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第437位 79件
（
2020年：第459位 73件）
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件
（2020年：第364位 72件）
（ランキング更新日：2025年9月1日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6911799 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース | 2021年 7月28日 | |
| 特許 6911812 | 陽極酸化装置、陽極酸化方法及び陽極酸化装置の陰極の製造方法 | 2021年 7月28日 | |
| 特許 6904313 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法 | 2021年 7月14日 | |
| 特許 6899080 | ウェーハ形状データ化方法 | 2021年 7月 7日 | |
| 特許 6897598 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 | 2021年 6月30日 | |
| 特許 6891847 | 研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 | 2021年 6月18日 | |
| 特許 6885492 | 両面研磨方法 | 2021年 6月16日 | |
| 特許 6879236 | 炭化珪素単結晶の製造方法 | 2021年 6月 2日 | |
| 特許 6879272 | シリコンウェーハの製造方法 | 2021年 6月 2日 | |
| 特許 6881292 | 再結合ライフタイムの制御方法 | 2021年 6月 2日 | |
| 特許 6881357 | 炭化珪素単結晶の製造方法 | 2021年 6月 2日 | |
| 特許 6881365 | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 | 2021年 6月 2日 | |
| 特許 6881387 | ＤＺ層の測定方法 | 2021年 6月 2日 | |
| 特許 6881398 | 炭化珪素単結晶成長装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 | 2021年 6月 2日 | |
| 特許 6870623 | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2021年 5月12日 |
73 件中 31-45 件を表示
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6911799 6911812 6904313 6899080 6897598 6891847 6885492 6879236 6879272 6881292 6881357 6881365 6881387 6881398 6870623
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