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信越半導体株式会社

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  2021年 特許取得件数ランキング    第359位 73件 上昇2020年:第364位 72件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6911799 シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース 2021年 7月28日
特許 6911812 陽極酸化装置、陽極酸化方法及び陽極酸化装置の陰極の製造方法 2021年 7月28日
特許 6904313 シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法 2021年 7月14日
特許 6899080 ウェーハ形状データ化方法 2021年 7月 7日
特許 6897598 シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 2021年 6月30日
特許 6891847 研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 2021年 6月18日
特許 6885492 両面研磨方法 2021年 6月16日
特許 6879236 炭化珪素単結晶の製造方法 2021年 6月 2日
特許 6879272 シリコンウェーハの製造方法 2021年 6月 2日
特許 6881292 再結合ライフタイムの制御方法 2021年 6月 2日
特許 6881357 炭化珪素単結晶の製造方法 2021年 6月 2日
特許 6881365 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 2021年 6月 2日
特許 6881387 DZ層の測定方法 2021年 6月 2日
特許 6881398 炭化珪素単結晶成長装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 2021年 6月 2日
特許 6870623 キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 2021年 5月12日

73 件中 31-45 件を表示

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6911799 6911812 6904313 6899080 6897598 6891847 6885492 6879236 6879272 6881292 6881357 6881365 6881387 6881398 6870623

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