信越半導体株式会社
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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第437位 79件
（
2020年：第459位 73件）
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件
（2020年：第364位 72件）
（ランキング更新日：2025年2月14日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6838713 | シリコン結晶中の炭素濃度測定方法 | 2021年 3月 3日 | |
| 特許 6835213 | ワークの切断方法及び接合部材 | 2021年 2月24日 | |
| 特許 6827442 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ | 2021年 2月10日 | |
| 特許 6825728 | 単結晶製造装置 | 2021年 2月 3日 | |
| 特許 6825733 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 2月 3日 | |
| 特許 6819619 | ワーク切断方法及びワイヤソー | 2021年 1月27日 | |
| 特許 6819621 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2021年 1月27日 | |
| 特許 6819883 | シリコンウェーハの金属不純物分析方法 | 2021年 1月27日 | |
| 特許 6822375 | シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2021年 1月27日 | |
| 特許 6817545 | シリコン中の炭素測定方法 | 2021年 1月20日 | |
| 特許 6812992 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2021年 1月13日 | |
| 特許 6809422 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2021年 1月 6日 | |
| 特許 6809626 | シリコンウェーハのＤＩＣ欠陥の形状測定方法及び研磨方法 | 2021年 1月 6日 |
73 件中 61-73 件を表示
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6838713 6835213 6827442 6825728 6825733 6819619 6819621 6819883 6822375 6817545 6812992 6809422 6809626
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特許ランキング
2月17日(月) - 大阪 大阪市
（オンライン参加可）体験談から学ぶ知的財産権 その時どうする？～海外で商標権がバッティング？オープンファクトリーの知財リスク？～
2月18日(火) -
2月19日(水) - 東京 港区
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月20日(木) - 東京 港区
2月20日(木) -
2月20日(木) -
2月20日(木) - 東京 千代田区
2月21日(金) - 東京 千代田区
2月21日(金) - 東京 大田
パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 －自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法－ ＜東京会場受講（対面）／Zoomオンライン受講 選択可＞ ＜見逃し視聴選択可＞
2月21日(金) -
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月17日(月) - 大阪 大阪市
（オンライン参加可）体験談から学ぶ知的財産権 その時どうする？～海外で商標権がバッティング？オープンファクトリーの知財リスク？～
2月25日(火) -
2月25日(火) -
2月26日(水) -
2月26日(水) -
2月26日(水) - 東京 港区
2月26日(水) -
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2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
