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信越半導体株式会社

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  2021年 特許取得件数ランキング    第359位 73件 上昇2020年:第364位 72件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6864145 ウェーハの表面形状調整方法 2021年 4月28日
特許 6866952 窒化物半導体ウェーハおよび窒化物半導体ウェーハの製造方法 2021年 4月28日
特許 6863251 シリコンウェーハの加工方法 2021年 4月21日
特許 6863309 両面研磨装置用のキャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 2021年 4月21日
特許 6863423 電子デバイス用基板およびその製造方法 2021年 4月21日
特許 6859964 高周波用SOIウェーハの製造方法 2021年 4月14日
特許 6856052 半導体基板の評価方法 2021年 4月 7日
特許 6852703 炭素濃度評価方法 2021年 3月31日
特許 6844561 酸素濃度評価方法 2021年 3月17日
特許 6844733 基板ウェーハの製造方法、及び基板ウェーハ 2021年 3月17日
特許 6840639 両面研磨装置用キャリア 2021年 3月10日
特許 6841214 発光素子の製造方法 2021年 3月10日
特許 6841359 シリコンエピタキシャルウェーハ製造用サセプタの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2021年 3月10日
特許 6838569 ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 2021年 3月 3日
特許 6838677 半導体基板のドライエッチング方法及びシリコン酸化膜のドライエッチング方法 2021年 3月 3日

73 件中 46-60 件を表示

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6864145 6866952 6863251 6863309 6863423 6859964 6856052 6852703 6844561 6844733 6840639 6841214 6841359 6838569 6838677

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