信越半導体株式会社
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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第437位 79件
（
2020年：第459位 73件）
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件
（2020年：第364位 72件）
（ランキング更新日：2025年12月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6864145 | ウェーハの表面形状調整方法 | 2021年 4月28日 | |
| 特許 6866952 | 窒化物半導体ウェーハおよび窒化物半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 4月28日 | |
| 特許 6863251 | シリコンウェーハの加工方法 | 2021年 4月21日 | |
| 特許 6863309 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2021年 4月21日 | |
| 特許 6863423 | 電子デバイス用基板およびその製造方法 | 2021年 4月21日 | |
| 特許 6859964 | 高周波用ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2021年 4月14日 | |
| 特許 6856052 | 半導体基板の評価方法 | 2021年 4月 7日 | |
| 特許 6852703 | 炭素濃度評価方法 | 2021年 3月31日 | |
| 特許 6844561 | 酸素濃度評価方法 | 2021年 3月17日 | |
| 特許 6844733 | 基板ウェーハの製造方法、及び基板ウェーハ | 2021年 3月17日 | |
| 特許 6840639 | 両面研磨装置用キャリア | 2021年 3月10日 | |
| 特許 6841214 | 発光素子の製造方法 | 2021年 3月10日 | |
| 特許 6841359 | シリコンエピタキシャルウェーハ製造用サセプタの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 3月10日 | |
| 特許 6838569 | ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 3月 3日 | |
| 特許 6838677 | 半導体基板のドライエッチング方法及びシリコン酸化膜のドライエッチング方法 | 2021年 3月 3日 |
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6864145 6866952 6863251 6863309 6863423 6859964 6856052 6852703 6844561 6844733 6840639 6841214 6841359 6838569 6838677
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