信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2021年 出願公開件数ランキング 第437位 79件
（
2020年：第459位 73件）
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件
（2020年：第364位 72件）
（ランキング更新日：2025年9月1日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6864145 | ウェーハの表面形状調整方法 | 2021年 4月28日 | |
| 特許 6866952 | 窒化物半導体ウェーハおよび窒化物半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 4月28日 | |
| 特許 6863251 | シリコンウェーハの加工方法 | 2021年 4月21日 | |
| 特許 6863309 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2021年 4月21日 | |
| 特許 6863423 | 電子デバイス用基板およびその製造方法 | 2021年 4月21日 | |
| 特許 6859964 | 高周波用ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2021年 4月14日 | |
| 特許 6856052 | 半導体基板の評価方法 | 2021年 4月 7日 | |
| 特許 6852703 | 炭素濃度評価方法 | 2021年 3月31日 | |
| 特許 6844561 | 酸素濃度評価方法 | 2021年 3月17日 | |
| 特許 6844733 | 基板ウェーハの製造方法、及び基板ウェーハ | 2021年 3月17日 | |
| 特許 6840639 | 両面研磨装置用キャリア | 2021年 3月10日 | |
| 特許 6841214 | 発光素子の製造方法 | 2021年 3月10日 | |
| 特許 6841359 | シリコンエピタキシャルウェーハ製造用サセプタの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 3月10日 | |
| 特許 6838569 | ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 3月 3日 | |
| 特許 6838677 | 半導体基板のドライエッチング方法及びシリコン酸化膜のドライエッチング方法 | 2021年 3月 3日 |
73 件中 46-60 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6864145 6866952 6863251 6863309 6863423 6859964 6856052 6852703 6844561 6844733 6840639 6841214 6841359 6838569 6838677
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
9月2日(火) -
9月2日(火) -
9月2日(火) - 東京 港区
9月3日(水) -
9月3日(水) -
9月3日(水) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月4日(木) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月5日(金) -
9月5日(金) -
9月6日(土) -
9月2日(火) -
9月10日(水) - 東京 港区
9月10日(水) -
9月11日(木) - 東京 江東区
9月11日(木) - 広島 広島
ますます頼りにされる商標担当者になるための３つのポイント ～ 社内の商標相談にサクサクと答えられるエッセンスを教えます ～
9月12日(金) -
9月12日(金) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
大阪府大阪市中央区北浜３丁目５－１９ 淀屋橋ホワイトビル２階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪市北区豊崎3-20-9 三栄ビル７階 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒220-0004 横浜市西区北幸１－５－１０ ＪＰＲ横浜ビル８階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
