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東京エレクトロン株式会社
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第67位 588件
（
2017年：第83位 585件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第50位 503件
（2017年：第66位 431件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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東京エレクトロン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6423331 | 基板ストック装置 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6423643 | 多層膜をエッチングする方法 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6423660 | ウエハ検査装置における検査用圧力設定値決定方法 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6423678 | 基板検査装置及びその制御方法 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6423706 | プラズマ処理装置 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6423728 | 成膜装置及び成膜方法 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6424120 | 電源システム、プラズマ処理装置及び電源制御方法 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6424249 | シリコン及びゲルマニウムを含む基板におけるシリコンの優先的酸化のための方法 | 2018年11月14日 | |
| 特許 6417916 | 基板搬送方法、基板処理装置、及び記憶媒体 | 2018年11月 7日 | |
| 特許 6417999 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 | 2018年11月 7日 | |
| 特許 6418794 | 改質処理方法及び半導体装置の製造方法 | 2018年11月 7日 | |
| 特許 6419053 | 基板処理方法および基板処理装置 | 2018年11月 7日 | |
| 特許 6419644 | 金属ナノドットの形成方法、金属ナノドット形成装置及び半導体装置の製造方法 | 2018年11月 7日 | |
| 特許 6420707 | 基板処理方法および基板処理装置 | 2018年11月 7日 | |
| 特許 6421048 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体 | 2018年11月 7日 |
507 件中 61-75 件を表示
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6423331 6423643 6423660 6423678 6423706 6423728 6424120 6424249 6417916 6417999 6418794 6419053 6419644 6420707 6421048
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