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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第356位 104件
(2019年:第321位 122件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第290位 95件
(2019年:第185位 146件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6717221 | シリコン結晶中の酸素濃度評価方法 | 2020年 7月 1日 | |
特許 6717267 | シリコンウェーハの製造方法 | 2020年 7月 1日 | |
特許 6717353 | レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 | 2020年 7月 1日 | |
特許 6713493 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ | 2020年 6月24日 | |
特許 6711320 | シリコンウェーハ | 2020年 6月17日 | |
特許 6711327 | シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2020年 6月17日 | |
特許 6707831 | 研削装置および研削方法 | 2020年 6月10日 | |
特許 6708305 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2020年 6月10日 | |
特許 6702422 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2020年 6月 3日 | |
特許 6699620 | シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 5月27日 | |
特許 6699741 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 | 2020年 5月27日 | |
特許 6699797 | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット | 2020年 5月27日 | |
特許 6702169 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2020年 5月27日 | |
特許 6696473 | 多層膜SOIウェーハ及びその製造方法 | 2020年 5月20日 | |
特許 6696729 | 半導体基板の評価方法及び半導体基板の製造方法 | 2020年 5月20日 |
95 件中 46-60 件を表示
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6717221 6717267 6717353 6713493 6711320 6711327 6707831 6708305 6702422 6699620 6699741 6699797 6702169 6696473 6696729
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パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
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2月25日(火) -
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