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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第356位 104件
(
2019年:第321位 122件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第290位 95件
(
2019年:第185位 146件)
(ランキング更新日:2025年12月5日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6743753 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2020年 8月19日 | |
| 特許 6743785 | キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法 | 2020年 8月19日 | |
| 特許 6743797 | 坩堝支持台座、石英坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法 | 2020年 8月19日 | |
| 特許 6737066 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法 | 2020年 8月 5日 | |
| 特許 6737224 | 多層膜SOIウェーハの製造方法 | 2020年 8月 5日 | |
| 特許 6737232 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2020年 8月 5日 | |
| 特許 6729352 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729411 | シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729445 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729447 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729470 | 単結晶の製造方法及び装置 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729471 | 多層膜SOIウェーハの製造方法および多層膜SOIウェーハ | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729484 | シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6724824 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法 | 2020年 7月15日 | |
| 特許 6724852 | エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2020年 7月15日 |
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6743753 6743785 6743797 6737066 6737224 6737232 6729352 6729411 6729445 6729447 6729470 6729471 6729484 6724824 6724852
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【大阪会場】 前田知財塾 ~スキルアップ編~ 知財の仕事を、もっと深く、もっと面白く! 第2回 「特許権侵害判断・回避構造の検討」
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