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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件
(2022年:第539位 58件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第372位 84件
(2022年:第278位 113件)
(ランキング更新日:2025年9月1日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7355255 | 枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法 | 2023年10月 3日 | |
特許 7351273 | 半導体ウェーハの割れの発生率低減方法 | 2023年 9月27日 | |
特許 7351331 | シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法 | 2023年 9月27日 | |
特許 7342392 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ | 2023年 9月12日 | |
特許 7342695 | エピタキシャルウェーハ製造システム及び製造方法 | 2023年 9月12日 | |
特許 7342789 | シリコンウェーハおよびシリコンウェーハの製造方法 | 2023年 9月12日 | |
特許 7342815 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2023年 9月12日 | |
特許 7342822 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2023年 9月12日 | |
特許 7342845 | シリコン単結晶の製造方法 | 2023年 9月12日 | |
特許 7342909 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2023年 9月12日 | |
特許 7331520 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、シリコンウェーハの製造方法および半導体装置の製造方法 | 2023年 8月23日 | |
特許 7327575 | 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 | 2023年 8月16日 | |
特許 7318738 | 単結晶製造システム及び単結晶製造方法 | 2023年 8月 1日 | |
特許 7306234 | ウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ | 2023年 7月11日 | |
特許 7306346 | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム | 2023年 7月11日 |
84 件中 16-30 件を表示
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7355255 7351273 7351331 7342392 7342695 7342789 7342815 7342822 7342845 7342909 7331520 7327575 7318738 7306234 7306346
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9月2日(火) -
9月2日(火) -
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9月3日(水) -
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9月4日(木) -
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9月5日(金) -
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9月12日(金) -
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