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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件
(2022年:第539位 58件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第372位 84件
(2022年:第278位 113件)
(ランキング更新日:2025年9月1日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7302463 | SOIウェーハの製造方法およびボート | 2023年 7月 4日 | |
特許 7298406 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法 | 2023年 6月27日 | |
特許 7298557 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法 | 2023年 6月27日 | |
特許 7290140 | ウェーハ研磨方法およびウェーハ研磨装置 | 2023年 6月13日 | |
特許 7287253 | 熱処理ウェーハの製造方法、熱処理装置および熱処理ウェーハの製造装置 | 2023年 6月 6日 | |
特許 7287271 | ワークの洗浄装置および洗浄方法 | 2023年 6月 6日 | |
特許 7283445 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2023年 5月30日 | |
特許 7279630 | 気相成長装置 | 2023年 5月23日 | |
特許 7279722 | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2023年 5月23日 | |
特許 7276090 | 検査方法、シリコンウェーハの製造方法および検査装置 | 2023年 5月18日 | |
特許 7276553 | 測定方法及び測定装置 | 2023年 5月18日 | |
特許 7272239 | 単結晶の製造方法 | 2023年 5月12日 | |
特許 7272249 | 単結晶育成方法および単結晶育成装置 | 2023年 5月12日 | |
特許 7272322 | 半導体結晶製造装置の管理方法、半導体結晶の製造方法、及び半導体結晶製造管理システム | 2023年 5月12日 | |
特許 7272343 | n型シリコン単結晶の製造方法 | 2023年 5月12日 |
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7302463 7298406 7298557 7290140 7287253 7287271 7283445 7279630 7279722 7276090 7276553 7272239 7272249 7272322 7272343
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