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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件 (2022年:第539位 58件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第372位 84件 (2022年:第278位 113件)
(ランキング更新日:2025年1月31日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7243649 | SOIウェーハの貼合わせ方法 | 2023年 3月22日 | |
特許 7238709 | シリコン単結晶の製造方法 | 2023年 3月14日 | |
特許 7238753 | 接合ウェーハ及びその製造方法 | 2023年 3月14日 | |
特許 7238815 | 単結晶製造管理システム | 2023年 3月14日 | |
特許 7238943 | 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法 | 2023年 3月14日 | |
特許 7235071 | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 | 2023年 3月 8日 | |
特許 7230661 | シリコンウェーハのスリップ転位に対する耐性の評価方法 | 2023年 3月 1日 | |
特許 7230746 | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 | 2023年 3月 1日 | |
特許 7230877 | エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 3月 1日 | |
特許 7226454 | 熱処理炉の前処理条件の決定方法、熱処理炉の前処理方法、熱処理装置ならびに熱処理された半導体ウェーハの製造方法および製造装置 | 2023年 2月21日 | |
特許 7218708 | 点欠陥シミュレーター、点欠陥シミュレーションプログラム、点欠陥シミュレーション方法、シリコン単結晶の製造方法および単結晶引き上げ装置 | 2023年 2月 7日 | |
特許 7218710 | レーザー表面検査装置の座標位置特定精度校正方法および半導体ウェーハの評価方法 | 2023年 2月 7日 | |
特許 7217464 | 光モジュール及びその製造方法 | 2023年 2月 3日 | |
特許 7216340 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 | 2023年 2月 1日 | |
特許 7215411 | シリコンウェーハの欠陥検査方法 | 2023年 1月31日 |
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7243649 7238709 7238753 7238815 7238943 7235071 7230661 7230746 7230877 7226454 7218708 7218710 7217464 7216340 7215411
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2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
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2月5日(水) -
2月5日(水) -
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2月6日(木) - 東京 港区
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