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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件
(2022年:第539位 58件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第372位 84件
(2022年:第278位 113件)
(ランキング更新日:2025年2月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7264012 | エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法 | 2023年 4月25日 | |
特許 7264038 | 気相成長装置及び気相成長処理方法 | 2023年 4月25日 | |
特許 7264039 | 研磨ヘッド、化学的機械的研磨装置、および、化学的機械的研磨方法 | 2023年 4月25日 | |
特許 7264043 | 単結晶育成方法および単結晶育成装置 | 2023年 4月25日 | |
特許 7259615 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 4月18日 | |
特許 7259706 | エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法 | 2023年 4月18日 | |
特許 7259722 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2023年 4月18日 | |
特許 7259736 | 結晶欠陥の検出方法、エピタキシャル成長装置の管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 4月18日 | |
特許 7259791 | シリコンウェーハへのクラスターイオン注入による白傷欠陥低減効果の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2023年 4月18日 | |
特許 7259941 | 研磨ヘッド、研磨装置および半導体ウェーハの製造方法 | 2023年 4月18日 | |
特許 7255468 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 | 2023年 4月11日 | |
特許 7251458 | シリコンウェーハの製造方法 | 2023年 4月 4日 | |
特許 7251590 | 機械学習の評価方法及び機械学習による推定モデルの生成方法 | 2023年 4月 4日 | |
特許 7249395 | 半導体試料の評価方法、半導体試料の評価装置および半導体ウェーハの製造方法 | 2023年 3月30日 | |
特許 7247879 | 単結晶シリコンウェーハの酸化膜耐圧の評価方法 | 2023年 3月29日 |
84 件中 46-60 件を表示
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7264012 7264038 7264039 7264043 7259615 7259706 7259722 7259736 7259791 7259941 7255468 7251458 7251590 7249395 7247879
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2月10日(月) -
2月12日(水) -
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
2月10日(月) -
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