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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件 (2023年:第372位 84件)
(ランキング更新日:2025年1月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-117750 | ゲルマニウム半導体装置及びその製造方法 | 2024年 8月29日 | |
特開 2024-111986 | シリコン単結晶の評価方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2024年 8月20日 | |
特開 2024-110022 | 半導体インゴットのスライシング加工条件決定方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2024年 8月15日 | |
特開 2024-102497 | 石英ガラスルツボ | 2024年 7月31日 | |
特開 2024-100160 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 | 2024年 7月26日 | |
特開 2024-94041 | クラスターイオンビームの生成方法及びクラスターイオンの注入方法 | 2024年 7月 9日 | |
特開 2024-94045 | クラスターイオンビームの生成方法及びクラスターイオンの注入方法 | 2024年 7月 9日 | |
特開 2024-90550 | 半導体製造装置、半導体製造工場及び半導体製造方法 | 2024年 7月 4日 | |
特開 2024-90666 | モニターウェーハの製造方法、および、モニターウェーハを用いる気相成長装置の異常判定方法 | 2024年 7月 4日 | |
特開 2024-91136 | ウェーハ分離装置及び方法並びにシリコンウェーハの製造方法 | 2024年 7月 4日 | |
特開 2024-88179 | 研磨ヘッド、研磨装置及び半導体ウェーハの製造方法 | 2024年 7月 2日 | |
特開 2024-88539 | SOIウェーハの片面研磨方法 | 2024年 7月 2日 | |
特開 2024-85819 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2024年 6月27日 | |
特開 2024-83927 | 推定方法、推定装置および推定プログラム | 2024年 6月24日 | |
特開 2024-83928 | BMD密度推定方法、BMD密度推定装置およびBMD密度推定プログラム | 2024年 6月24日 |
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2024-117750 2024-111986 2024-110022 2024-102497 2024-100160 2024-94041 2024-94045 2024-90550 2024-90666 2024-91136 2024-88179 2024-88539 2024-85819 2024-83927 2024-83928
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1月11日(土) -
1月11日(土) -
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1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
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1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
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