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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件 (2023年:第372位 84件)
(ランキング更新日:2025年1月8日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-24161 | ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置 | 2024年 2月22日 | |
特開 2024-24162 | ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置 | 2024年 2月22日 | |
特開 2024-22708 | 接合シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2024年 2月21日 | |
特開 2024-21511 | 接合シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2024年 2月16日 | |
特開 2024-21852 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法 | 2024年 2月16日 | |
特開 2024-17963 | 管理装置、管理方法、及びウェーハの製造システム | 2024年 2月 8日 | |
特開 2024-15901 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2024年 2月 6日 | |
特開 2024-14560 | 研磨パッドのドレッシング方法、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの研磨装置 | 2024年 2月 1日 | |
特開 2024-8390 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2024年 1月19日 | |
特開 2024-5479 | FZ炉の清浄度測定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法及び装置 | 2024年 1月17日 | |
特開 2024-6107 | シリコンウェーハ及びシリコン単結晶のインゴットの育成方法 | 2024年 1月17日 | |
特開 2024-6625 | ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム | 2024年 1月17日 |
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2024-24161 2024-24162 2024-22708 2024-21511 2024-21852 2024-17963 2024-15901 2024-14560 2024-8390 2024-5479 2024-6107 2024-6625
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1月15日(水) -
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1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
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