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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件 (2023年:第372位 84件)
(ランキング更新日:2025年1月8日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-43993 | 半導体試料の評価方法 | 2024年 4月 2日 | |
特開 2024-44553 | ウェーハ形状のモデル化方法、およびウェーハの製造方法 | 2024年 4月 2日 | |
特開 2024-39192 | 単結晶製造装置 | 2024年 3月22日 | |
特開 2024-38702 | シリコン単結晶の製造システム及び製造方法 | 2024年 3月21日 | |
特開 2024-38818 | シリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2024年 3月21日 | |
特開 2024-38819 | インゴットのVノッチ評価装置 | 2024年 3月21日 | |
特開 2024-35995 | 半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ | 2024年 3月15日 | |
特開 2024-33324 | ワイヤソーの測定装置及び測定方法 | 2024年 3月13日 | |
特開 2024-34423 | 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 | 2024年 3月13日 | |
特開 2024-32486 | ワークの厚さの測定装置、ワークの厚さの測定方法、ワークの研磨システム | 2024年 3月12日 | |
特開 2024-30540 | シリコン単結晶の製造方法 | 2024年 3月 7日 | |
特開 2024-30551 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2024年 3月 7日 | |
特開 2024-31692 | SOIウェーハ及びその製造方法 | 2024年 3月 7日 | |
特開 2024-28041 | SOIウェーハ及びその製造方法 | 2024年 3月 1日 | |
特開 2024-26728 | 外観検査装置 | 2024年 2月28日 |
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2024-43993 2024-44553 2024-39192 2024-38702 2024-38818 2024-38819 2024-35995 2024-33324 2024-34423 2024-32486 2024-30540 2024-30551 2024-31692 2024-28041 2024-26728
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1月10日(金) -
1月11日(土) -
1月11日(土) -
1月9日(木) -
1月14日(火) - 東京 港区
1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
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