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信越半導体株式会社

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　■　2019年特許取得件数ランキング　　　第322位　84件（2018年：第275位　105件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2019-126854	ワーク切断方法及びワイヤソー	2019年 8月 1日
特開 2019-126883	ワークの切断方法及びワイヤソー	2019年 8月 1日
特開 2019-129195	高周波用ＳＯＩウェーハの製造方法	2019年 8月 1日
特開 2019-129233	ＳＯＩウェーハの製造方法	2019年 8月 1日
特開 2019-123059	キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法	2019年 7月25日
特開 2019-123645	単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶引き上げ装置	2019年 7月25日
特開 2019-124483	炭素濃度評価方法	2019年 7月25日
特開 2019-125642	半導体装置の評価装置	2019年 7月25日
特開 2019-119023	研磨装置および研磨方法	2019年 7月22日
特開 2019-121657	再結合ライフタイムの制御方法	2019年 7月22日
特開 2019-121680	ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2019年 7月22日
特開 2019-116405	炭化珪素単結晶の製造方法	2019年 7月18日
特開 2019-114690	ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法	2019年 7月11日
特開 2019-108239	ＦＺ用シリコン原料棒の製造方法およびＦＺシリコン単結晶の製造方法	2019年 7月 4日
特開 2019-102658	シリコンウェーハの加工方法	2019年 6月24日

96 件中 46-60 件を表示

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2019-126854 2019-126883 2019-129195 2019-129233 2019-123059 2019-123645 2019-124483 2019-125642 2019-119023 2019-121657 2019-121680 2019-116405 2019-114690 2019-108239 2019-102658

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