信越半導体株式会社
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第396位 96件
（
2018年：第424位 80件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第322位 84件
（
2018年：第275位 105件）
（ランキング更新日：2024年11月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2019-201118 | 半導体基板の評価方法 | 2019年11月21日 | |
| 特開 2019-201148 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2019年11月21日 | |
| 特開 2019-195866 | 両面研磨装置用キャリアの保管方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2019年11月14日 | |
| 特開 2019-196289 | 単結晶の製造方法及び単結晶引き上げ装置 | 2019年11月14日 | |
| 特開 2019-196990 | 不純物濃度の測定方法 | 2019年11月14日 | |
| 特開 2019-197870 | シリコンウエハの評価方法及びそのエッチング液 | 2019年11月14日 | |
| 特開 2019-193968 | 研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法 | 2019年11月 7日 | |
| 特開 2019-195020 | 半導体シリコンウェーハの金属不純物除去方法 | 2019年11月 7日 | |
| 特開 2019-192773 | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 | 2019年10月31日 | |
| 特開 2019-192835 | ＤＺ層の測定方法 | 2019年10月31日 | |
| 再表 2018-105306 | 両面研磨装置用キャリア及び両面研磨装置並びに両面研磨方法 | 2019年10月24日 | |
| 特開 2019-181594 | 研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 | 2019年10月24日 | |
| 特開 2019-186439 | 発光素子の配光特性の調整方法及び発光素子の製造方法 | 2019年10月24日 | |
| 特開 2019-186449 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年10月24日 | |
| 特開 2019-174136 | 試料分析方法、試料導入装置 | 2019年10月10日 |
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2019-201118 2019-201148 2019-195866 2019-196289 2019-196990 2019-197870 2019-193968 2019-195020 2019-192773 2019-192835 2018-105306 2019-181594 2019-186439 2019-186449 2019-174136
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12月1日(日) -
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新製品開発の「タネ」がみつかる！株式会社リコーによるシーズ発表会 ～リコーの技術(シーズ)やアイデアを使って新製品をつくりませんか？～
12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
【特別講演】第8回 前コミュ 生成AIでビジネスチャンスをつかむ前に、生成AI導入に待ち構える法的ハードルを越える方法 ～ つながりを育む出会いの場（知財ネットワーク交流会）～
12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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