信越半導体株式会社
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第396位 96件
（
2018年：第424位 80件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第322位 84件
（
2018年：第275位 105件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2019-169694 | シリコンウェーハの製造方法 | 2019年10月 3日 | |
| 特開 2019-156660 | 炭化珪素単結晶の製造方法 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-156679 | 炭化珪素単結晶の製造方法 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-156694 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-156698 | 炭化珪素単結晶の製造方法 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-156708 | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-160908 | 酸素濃度評価方法 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-161022 | ウェーハの処理装置及び処理方法 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-161140 | 炭素濃度評価方法 | 2019年 9月19日 | |
| 特開 2019-142745 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 8月29日 | |
| 特開 2019-145597 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 | 2019年 8月29日 | |
| 特開 2019-136837 | 両面研磨方法 | 2019年 8月22日 | |
| 特開 2019-137566 | シリコン結晶中の炭素濃度測定方法 | 2019年 8月22日 | |
| 特開 2019-140156 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2019年 8月22日 | |
| 特開 2019-134124 | ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法 | 2019年 8月 8日 |
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2019-169694 2019-156660 2019-156679 2019-156694 2019-156698 2019-156708 2019-160908 2019-161022 2019-161140 2019-142745 2019-145597 2019-136837 2019-137566 2019-140156 2019-134124
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