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信越半導体株式会社

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　■　2019年出願公開件数ランキング　　　第396位　96件（2018年：第424位　80件）

　■　2019年特許取得件数ランキング　　　第322位　84件（2018年：第275位　105件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2019-169694	シリコンウェーハの製造方法	2019年10月 3日
特開 2019-156660	炭化珪素単結晶の製造方法	2019年 9月19日
特開 2019-156679	炭化珪素単結晶の製造方法	2019年 9月19日
特開 2019-156694	シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース	2019年 9月19日
特開 2019-156698	炭化珪素単結晶の製造方法	2019年 9月19日
特開 2019-156708	炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置	2019年 9月19日
特開 2019-160908	酸素濃度評価方法	2019年 9月19日
特開 2019-161022	ウェーハの処理装置及び処理方法	2019年 9月19日
特開 2019-161140	炭素濃度評価方法	2019年 9月19日
特開 2019-142745	シリコン単結晶の製造方法	2019年 8月29日
特開 2019-145597	シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法	2019年 8月29日
特開 2019-136837	両面研磨方法	2019年 8月22日
特開 2019-137566	シリコン結晶中の炭素濃度測定方法	2019年 8月22日
特開 2019-140156	両面研磨装置用のキャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法	2019年 8月22日
特開 2019-134124	ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法	2019年 8月 8日

96 件中 31-45 件を表示

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2019-169694 2019-156660 2019-156679 2019-156694 2019-156698 2019-156708 2019-160908 2019-161022 2019-161140 2019-142745 2019-145597 2019-136837 2019-137566 2019-140156 2019-134124

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