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信越半導体株式会社

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　■　2019年出願公開件数ランキング　　　第396位　96件（2018年：第424位　80件）

　■　2019年特許取得件数ランキング　　　第322位　84件（2018年：第275位　105件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2019-54132	半導体ウェーハの評価方法	2019年 4月 4日
特開 2019-50283	シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法、及び半導体デバイスの製造方法	2019年 3月28日
特開 2019-50322	シリコン中の炭素測定方法	2019年 3月28日
特開 2019-47068	点欠陥の評価方法	2019年 3月22日
特開 2019-47108	シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの製造方法	2019年 3月22日
特開 2019-40929	再結合ライフタイムの制御方法	2019年 3月14日
特開 2019-36661	炭素濃度測定方法	2019年 3月 7日
特開 2019-36662	発光素子の製造方法	2019年 3月 7日
特開 2019-36665	シリコンウェーハの洗浄方法	2019年 3月 7日
特開 2019-36700	シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法	2019年 3月 7日
再表 2018-12313	ワイヤソー装置及びワークの切断方法	2019年 2月21日
特開 2019-19030	シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法	2019年 2月 7日
特開 2019-21719	研磨方法	2019年 2月 7日
特開 2019-21746	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ	2019年 2月 7日
特開 2019-14625	リチャージ管及び単結晶の製造方法	2019年 1月31日

96 件中 76-90 件を表示

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2019-54132 2019-50283 2019-50322 2019-47068 2019-47108 2019-40929 2019-36661 2019-36662 2019-36665 2019-36700 2018-12313 2019-19030 2019-21719 2019-21746 2019-14625

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