信越半導体株式会社
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第396位 96件
（
2018年：第424位 80件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第322位 84件
（
2018年：第275位 105件）
（ランキング更新日：2025年6月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2019-94224 | シリコン単結晶の育成方法 | 2019年 6月20日 | |
| 特開 2019-96639 | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 6月20日 | |
| 特開 2019-96736 | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 | 2019年 6月20日 | |
| 特開 2019-96829 | 発光素子の製造方法 | 2019年 6月20日 | |
| 特開 2019-89684 | シリコン単結晶育成装置及びシリコン単結晶製造方法 | 2019年 6月13日 | |
| 特開 2019-85519 | 半導体型蛍光体 | 2019年 6月 6日 | |
| 特開 2019-87617 | 薄膜ＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハの製造方法 | 2019年 6月 6日 | |
| 特開 2019-78684 | シリコンウェーハの金属不純物分析方法 | 2019年 5月23日 | |
| 特開 2019-79834 | シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウエーハ | 2019年 5月23日 | |
| 特開 2019-80008 | 基板の熱処理方法 | 2019年 5月23日 | |
| 特開 2019-80026 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 5月23日 | |
| 特開 2019-71473 | 発光素子 | 2019年 5月 9日 | |
| 特開 2019-58955 | 研磨ヘッド及び研磨ヘッドの製造方法 | 2019年 4月18日 | |
| 特開 2019-56625 | 欠陥サイズ分布の測定方法 | 2019年 4月11日 | |
| 再表 2018-42877 | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント | 2019年 4月 4日 |
96 件中 61-75 件を表示
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2019-94224 2019-96639 2019-96736 2019-96829 2019-89684 2019-85519 2019-87617 2019-78684 2019-79834 2019-80008 2019-80026 2019-71473 2019-58955 2019-56625 2018-42877
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