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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2022-38444	シリコン単結晶基板の製造方法及びシリコン単結晶基板	2022年 3月10日
特開 2022-33607	シリコン単結晶基板中の水素濃度の評価方法	2022年 3月 2日
特開 2022-25512	窒化物半導体ウェーハおよび窒化物半導体ウェーハの製造方法	2022年 2月10日
特開 2022-25657	量子コンピュータ用半導体装置の製造方法	2022年 2月10日
特開 2022-26385	ＦＺ用シリコン原料結晶の製造方法及びＦＺ用シリコン原料結晶の製造システム	2022年 2月10日
特開 2022-20972	シリコンウエーハ中の酸素の拡散係数の算出方法	2022年 2月 2日
特開 2022-19334	指示値読取プログラム、指示値読取装置及び指示値読取方法	2022年 1月27日
特開 2022-17743	シリコン単結晶ウェーハの抵抗率測定方法	2022年 1月26日
特開 2022-17062	片面研磨装置及び片面研磨方法、並びに研磨パッド	2022年 1月25日
特開 2022-15868	エピタキシャル成長条件の設定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2022年 1月21日
特開 2022-14656	半導体装置の製造方法及び半導体装置	2022年 1月20日
特開 2022-13203	接合型半導体素子及び接合型半導体素子の製造方法	2022年 1月18日
特開 2022-13244	接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法	2022年 1月18日
特開 2022-13255	接合型半導体ウェーハの製造方法及び接合型半導体素子の製造方法	2022年 1月18日
特開 2022-12326	シリコンエピタキシャルウエーハ及びその製造方法	2022年 1月17日

81 件中 61-75 件を表示

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2022-38444 2022-33607 2022-25512 2022-25657 2022-26385 2022-20972 2022-19334 2022-17743 2022-17062 2022-15868 2022-14656 2022-13203 2022-13244 2022-13255 2022-12326

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