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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2022-166590	ウェーハの洗浄方法	2022年11月 2日
特開 2022-166697	シリコンウェーハの製造方法	2022年11月 2日
特開 2022-162915	シリコンウェーハの洗浄方法及び自然酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法	2022年10月25日
特開 2022-161310	窒化物半導体ウェーハの製造方法	2022年10月21日
特開 2022-160903	ウェーハの加工方法	2022年10月20日
特開 2022-160934	ウェーハの加工方法及びウェーハ	2022年10月20日
特開 2022-146664	エピタキシャルウェーハの製造方法	2022年10月 5日
特開 2022-142095	炭化珪素単結晶ウェーハの結晶欠陥評価方法	2022年 9月30日
特開 2022-141151	単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法	2022年 9月29日
特開 2022-138089	シリコンウェーハの洗浄方法、シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ	2022年 9月22日
特開 2022-134799	紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハの製造方法、紫外線発光素子用基板の製造方法、紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ及び紫外線発光素子用基板	2022年 9月15日
特開 2022-132995	原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びＣＺ単結晶製造装置	2022年 9月13日
特開 2022-131086	窒化物半導体基板およびその製造方法	2022年 9月 7日
特開 2022-129701	両面研磨装置及び研磨布のドレッシング方法	2022年 9月 6日
特開 2022-126019	エピタキシャルウェーハの欠陥パターン検出システムおよび検出方法	2022年 8月30日

81 件中 16-30 件を表示

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2022-166590 2022-166697 2022-162915 2022-161310 2022-160903 2022-160934 2022-146664 2022-142095 2022-141151 2022-138089 2022-134799 2022-132995 2022-131086 2022-129701 2022-126019

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