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信越半導体株式会社

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  2022年 出願公開件数ランキング    第428位 76件 上昇2021年:第437位 79件)

  2022年 特許取得件数ランキング    第392位 75件 下降2021年:第359位 73件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7160779 薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法 2022年10月25日
特許 7156341 片面研磨装置及び片面研磨方法、並びに研磨パッド 2022年10月19日
特許 7153578 シリコンウェーハの製造方法 2022年10月14日
特許 7151664 エピタキシャルウェーハの製造方法 2022年10月12日
特許 7151677 ウェーハ検査装置の管理方法 2022年10月12日
特許 7147416 エピタキシャルウェーハの製造方法、エピタキシャル成長用シリコン系基板及びエピタキシャルウェーハ 2022年10月 5日
特許 7148437 ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置 2022年10月 5日
特許 7143828 シリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法 2022年 9月29日
特許 7143831 ウェーハ形状の測定方法 2022年 9月29日
特許 7142184 窒化物半導体ウェーハの製造方法及び窒化物半導体ウェーハ 2022年 9月26日
特許 7140022 シリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコンウェーハの製造工程管理方法 2022年 9月21日
特許 7135998 エピタキシャルウェーハの評価方法 2022年 9月13日
特許 7136311 接合型半導体ウェーハの製造方法 2022年 9月13日
特許 7136374 マイクロLED構造体を有するウェーハ、マイクロLED構造体を有するウェーハの製造方法およびマイクロLED構造体を有する接合型半導体ウェーハの製造方法 2022年 9月13日
特許 7131724 半導体ウェーハの製造方法 2022年 9月 6日

75 件中 16-30 件を表示

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7160779 7156341 7153578 7151664 7151677 7147416 7148437 7143828 7143831 7142184 7140022 7135998 7136311 7136374 7131724

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