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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第428位 76件
(2021年:第437位 79件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第392位 75件
(2021年:第359位 73件)
(ランキング更新日:2025年4月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7160779 | 薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法 | 2022年10月25日 | |
特許 7156341 | 片面研磨装置及び片面研磨方法、並びに研磨パッド | 2022年10月19日 | |
特許 7153578 | シリコンウェーハの製造方法 | 2022年10月14日 | |
特許 7151664 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2022年10月12日 | |
特許 7151677 | ウェーハ検査装置の管理方法 | 2022年10月12日 | |
特許 7147416 | エピタキシャルウェーハの製造方法、エピタキシャル成長用シリコン系基板及びエピタキシャルウェーハ | 2022年10月 5日 | |
特許 7148437 | ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置 | 2022年10月 5日 | |
特許 7143828 | シリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法 | 2022年 9月29日 | |
特許 7143831 | ウェーハ形状の測定方法 | 2022年 9月29日 | |
特許 7142184 | 窒化物半導体ウェーハの製造方法及び窒化物半導体ウェーハ | 2022年 9月26日 | |
特許 7140022 | シリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコンウェーハの製造工程管理方法 | 2022年 9月21日 | |
特許 7135998 | エピタキシャルウェーハの評価方法 | 2022年 9月13日 | |
特許 7136311 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 | 2022年 9月13日 | |
特許 7136374 | マイクロLED構造体を有するウェーハ、マイクロLED構造体を有するウェーハの製造方法およびマイクロLED構造体を有する接合型半導体ウェーハの製造方法 | 2022年 9月13日 | |
特許 7131724 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2022年 9月 6日 |
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7160779 7156341 7153578 7151664 7151677 7147416 7148437 7143828 7143831 7142184 7140022 7135998 7136311 7136374 7131724
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4月23日(水) -
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4月24日(木) -
4月24日(木) -
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