信越半導体株式会社
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（
2021年：第437位 79件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第392位 75件
（
2021年：第359位 73件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7087166 | 研磨装置および研磨方法 | 2022年 6月20日 | |
| 特許 7083699 | 評価方法 | 2022年 6月13日 | |
| 特許 7077991 | ＣＺシリコン単結晶製造方法 | 2022年 5月31日 | |
| 特許 7070500 | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 | 2022年 5月18日 | |
| 特許 7070502 | 測定装置および研磨ヘッドの選定方法ならびにウエーハの研磨方法 | 2022年 5月18日 | |
| 特許 7070515 | スエード研磨パッドの立ち上げ方法、及びウエーハの仕上げ研磨方法 | 2022年 5月18日 | |
| 特許 7067267 | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びＦＺシリコン単結晶の製造方法 | 2022年 5月16日 | |
| 特許 7067524 | ウェーハのフラットネス測定機の選定方法及び測定方法 | 2022年 5月16日 | |
| 特許 7067528 | ナノトポロジー測定機の選定方法及び調整方法 | 2022年 5月16日 | |
| 特許 7059967 | 単結晶育成装置及び単結晶育成方法 | 2022年 4月26日 | |
| 特許 7059983 | 電子デバイス及びその製造方法 | 2022年 4月26日 | |
| 特許 7056609 | ＣＶ測定に用いるための抵抗率校正用半導体ウェーハ及びその作製方法 | 2022年 4月19日 | |
| 特許 7056610 | 半導体ウェーハの故意汚染方法 | 2022年 4月19日 | |
| 特許 7056685 | シリコンウェーハのエッチング方法 | 2022年 4月19日 | |
| 特許 7052645 | 単結晶育成方法 | 2022年 4月12日 |
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7087166 7083699 7077991 7070500 7070502 7070515 7067267 7067524 7067528 7059967 7059983 7056609 7056610 7056685 7052645
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