信越半導体株式会社
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（
2021年：第437位 79件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第392位 75件
（
2021年：第359位 73件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7124938 | シリコン単結晶の製造方法 | 2022年 8月24日 | |
| 特許 7120189 | 半導体基板の評価方法 | 2022年 8月17日 | |
| 特許 7115456 | シリコン単結晶ウエーハの窒素濃度の測定方法 | 2022年 8月 9日 | |
| 特許 7115592 | 単結晶製造装置 | 2022年 8月 9日 | |
| 特許 7111062 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | 2022年 8月 2日 | |
| 特許 7103277 | シリコン単結晶インゴットの研削方法 | 2022年 7月20日 | |
| 特許 7103305 | インゴットの切断方法 | 2022年 7月20日 | |
| 特許 7103314 | シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法 | 2022年 7月20日 | |
| 特許 7099614 | テンプレートアセンブリ、研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 | 2022年 7月12日 | |
| 特許 7095647 | 解析用データの生成方法及び半導体基板の判定方法 | 2022年 7月 5日 | |
| 特許 7092087 | 半導体基板の気相分解方法 | 2022年 6月28日 | |
| 特許 7092092 | 片面研磨方法 | 2022年 6月28日 | |
| 特許 7087693 | 発光素子及びその製造方法 | 2022年 6月21日 | |
| 特許 7088120 | シリコンウェーハのエッチング方法 | 2022年 6月21日 | |
| 特許 7088125 | 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法 | 2022年 6月21日 |
75 件中 31-45 件を表示
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7124938 7120189 7115456 7115592 7111062 7103277 7103305 7103314 7099614 7095647 7092087 7092092 7087693 7088120 7088125
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