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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7364071	ＳＯＩウェーハの製造方法	2023年10月18日
特許 7354943	接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法	2023年10月 3日
特許 7351241	化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法	2023年 9月27日
特許 7351266	半導体装置の製造方法	2023年 9月27日
特許 7347318	貼り合わせＳＯＩウェーハのベースウェーハの抵抗率測定方法	2023年 9月20日
特許 7347350	エピタキシャル成長条件の設定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2023年 9月20日
特許 7347351	シリコン単結晶ウェーハの抵抗率測定方法	2023年 9月20日
特許 7345245	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2023年 9月15日
特許 7345433	研磨ヘッド及びウェーハの片面研磨方法	2023年 9月15日
特許 7342847	シリコン単結晶の製造方法	2023年 9月12日
特許 7334698	ＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハ	2023年 8月29日
特許 7334849	シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法	2023年 8月29日
特許 7334869	窒化物半導体基板及びその製造方法	2023年 8月29日
特許 7322832	量子コンピュータ用半導体装置の製造方法	2023年 8月 8日
特許 7318518	固体撮像素子用のシリコン単結晶基板及びシリコンエピタキシャルウェーハ、並びに固体撮像素子	2023年 8月 1日

87 件中 16-30 件を表示

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7364071 7354943 7351241 7351266 7347318 7347350 7347351 7345245 7345433 7342847 7334698 7334849 7334869 7322832 7318518

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