信越半導体株式会社
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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第386位 87件
（
2022年：第428位 76件）
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第364位 86件
（2022年：第392位 75件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7218830 | 両面研磨装置及び両面研磨方法 | 2023年 2月 7日 | |
| 特許 7218832 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 2月 7日 | |
| 特許 7218340 | 検査装置及び検査方法 | 2023年 2月 6日 | |
| 特許 7215630 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | 2023年 1月31日 | |
| 特許 7211343 | 不純物分析方法及びシリコン単結晶の製造方法 | 2023年 1月24日 | |
| 特許 7207204 | 炭素ドープシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2023年 1月18日 | |
| 特許 7207214 | 抵抗率測定装置の管理方法 | 2023年 1月18日 | |
| 特許 7207588 | ＩＩＩ族窒化物半導体ウエーハ及びその製造方法 | 2023年 1月18日 | |
| 特許 7205391 | 抵抗率測定装置の管理方法 | 2023年 1月17日 | |
| 特許 7200834 | 搬送システム | 2023年 1月10日 | |
| 特許 7200917 | シリコンウェーハの欠陥評価方法 | 2023年 1月10日 | |
| 特許 7201117 | 研磨用組成物、シリコンウェーハの研磨方法、及び研磨装置 | 2023年 1月10日 |
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7218830 7218832 7218340 7215630 7211343 7207204 7207214 7207588 7205391 7200834 7200917 7201117
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9月1日(月) - 千葉 千葉市美浜区中瀬1丁目3番地
9月10日(水) - 東京 港区
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9月11日(木) - 広島 広島
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